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　　TrendForce集邦咨询表示，CoWoS方案将主运算逻辑芯片、存储器、I/O等不同功能的芯片，以中介层（Interposer）方式连结，并固定在基板上，目前已发展出CoWoS-S、CoWoS-R与CoWoS-L等技术。随着NVIDIA（英伟达） Blackwell平台2025年进入规模量产，目前市场需求已高度倾向内嵌硅中介层的CoWoS-L，NVIDIA下世代的Rubin亦将采用，并进一步推升光罩尺寸。

　　相较于CoWoS，EMIB拥有数项优势：首先是结构简化，EMIB舍弃昂贵且大面积的中介层，直接将芯片使用内嵌在载板的硅桥（Bridge）方式进行互连，简化整体结构，相对于CoWoS良率更高。其次是热膨胀系数（Coefficient of Thermal Expansion, CTE）问题较小，由于EMIB只在芯片边缘嵌硅桥，整体硅比例低，因此硅与基板的接触区域少，导致热膨胀系数不匹配的问题较小，较不容易产生封装翘曲与可靠度挑战。